FeNi50/ سیم آلیاژ مغناطیسی نرم1J50

برند:1J50
طبقه‌بندی: آلیاژهای مغناطیسی نرم دقیق
مکمل: آلیاژ دارای نفوذپذیری بالا و القای اشباع کم از نظر فنی است
کاربرد: برای هسته‌های بین لوله و ترانسفورماتورهای قدرت کوچک، چوک‌ها، رله‌ها و بخش‌هایی از مدارهای مغناطیسی که در القاهای بالا بدون بایاس یا بایاس کوچک کار می‌کنند
ترکیب شیمیایی (% 1J50)

اینجا می‌توانید Alloy 1J50 (نوار) ​​را با شرایط بهتری خریداری کنید.
خواص فنی
آلیاژ 1J50 با نفوذپذیری مغناطیسی بالا، دارای بالاترین مقدار القای اشباع در کل گروه آلیاژهای آهن-نیکل، حداقل 1.5 T. بافت کریستالوگرافی آلیاژ و با حلقه هیسترزیس مستطیلی
ثابت‌های فیزیکی اساسی و خواص مکانیکی آلیاژ:
چگالی: γ = 8.2 گرم بر سانتی‌متر مکعب؛
مقاومت الکتریکی: ρ = 0.45 اهم mm2؟ / m؛
دمای نقطه کوری: Θs = 500 درجه سانتیگراد؛
مغناطوتنگش اشباع: λS = 25 ? 106;
سختی برینل: 170/130 HB؛
نهایی: Rm = 780/440 مگاپاسکال؛
استحکام تسلیم: σ0.2 = 685/145 مگاپاسکال؛
مدول الاستیسیته E = 160 kN / mm2؛
کشیدگی: δ5 = 3/35%؛
فشرده سازی نسبی: φ = 15/60٪
خواص مغناطیسی آلیاژ

دارای آلیاژ درجه یک 1J50
آلیاژ مغناطیسی 1J50 با افزایش پارامترهای نفوذپذیری و القای اشباع مشخص می‌شود. آلیاژ درجه 1J50 برای تولید محصولاتی مناسب است که تحت میدان‌های مغناطیسی متغیر از نظر ابعادی پایدار می‌مانند. برای بهبود عملکرد الکترومغناطیسی، آلیاژ مولیبدن آلاییده شده 1J50، سیلیکون، کروم، منگنز، مس و سایر عناصر را اضافه می‌کنند. ذوب آلیاژ 1J50 در گازهای خنثی یا خلاء انجام می‌شود. ورق و نوار 1J50 برای بهبود خواص مغناطیسی، نورد سرد و آنیل می‌شوند.
آلیاژ کاربرد 1J50
آلیاژ درجه 1J50 در تولید هسته‌های ترانسفورماتورهای قدرت، تراشه‌های مغناطیسی و اجزای مدار مغناطیسی کاربرد دارد. با توجه به خواص مغناطیسی-مقاومتی بالا، خرید 1J50 برای تولید حسگرهای میدان مغناطیسی، سرهای ضبط مغناطیسی و صفحات ترانسفورماتور مناسب است.
استفاده از آلیاژ 50H برای تولید دستگاه مجاز است، که باید در دماهای مختلف اندازه ثابتی داشته باشد. به دلیل خاصیت مغناطیسی کم، آلیاژ 1J50 در دستگاه‌های مغناطیسی-مکانیکی دقیق استفاده می‌شود. بسته به جهت و بزرگی میدان مغناطیسی، مقدار مقاومت الکتریکی ماده 1J50 5٪ متغیر است که به شما امکان می‌دهد 50H را برای تولید ابزار دقیق حساس خریداری کنید.۰۰۰